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Eine EDI-Wasseraufbereitungsanlage für Halbleiter ist normalerweise Teil eines Ultra Pure Water (UPW)-Systems. In diesem Zusammenhang ist EDI der „Ionenentfernungs-Polierschritt“ nach RO, der Ihnen hilft, eine extrem niedrige Leitfähigkeit zu erreichen. -Dann werden durch zusätzliches UPW-Polieren TOC, Siliciumdioxid/Bor, gelöste Gase, Bakterien und Partikel entfernt, um die Anforderungen der Fertigung zu erfüllen.

Warum EDI der Standard für Halbleiter ist

Herkömmliche Ionenaustauscherharzbetten werden in Halbleiterfabriken aufgrund mehrerer entscheidender technischer Vorteile weitgehend durch EDI ersetzt:

Keine Ionenleckage: Im Gegensatz zu herkömmlichen Harzbetten, bei denen Ionen „austreten“ können, wenn sie erschöpft sind, liefert EDI einen konstanten, hochreinen Strom, da das Harz kontinuierlich durch ein elektrisches Feld regeneriert wird.
Chemikalienfreie Umgebung: Halbleiter benötigen eine unglaublich stabile Umgebung. EDI verwendet Elektrizität anstelle gefährlicher Säuren und Ätzmittel und eliminiert so das Risiko chemischer Dämpfe oder versehentlicher Verschüttungen, die die Luft im „Reinraum“ verunreinigen könnten.
Niedrige TOC- und Silica-Entfernung: EDI ist äußerst effektiv bei der Entfernung schwach ionisierter Spezies wie Silica ($SiO_2$) und Bor, die bekanntermaßen schwer zu entfernen sind, sich aber verheerend auf die Halbleiterausbeute auswirken.
Modulare Skalierbarkeit: Halbleiter-„Fabs“ sind riesig. EDI-Systeme sind modular aufgebaut und ermöglichen es Ingenieuren, die Wasserproduktion entsprechend der Anzahl der in Betrieb befindlichen Lithografie- oder Ätzwerkzeuge zu erhöhen oder zu verringern.

Typische EDI-Wasseraufbereitungsanlage für Halbleiter

In einer Halbleiteranlage ist die EDI-Anlage das „Herz“ des Polierkreislaufs und liegt zwischen der Umkehrosmosestufe (RO) und den Filtern am letzten Einsatzort:

Primäre Behandlung (Doppel--Durchgang RO): Entfernt 99 % der Hauptverunreinigungen. Das hochwertige Permeat aus dem zweiten RO-Durchgang dient als Speisewasser für die EDI.
Entgasung: Entfernt gelöstes $O_2$ und $CO_2$. Dies ist von entscheidender Bedeutung, da gelöste Gase Blasen auf der Waferoberfläche verursachen und die Effizienz des EDI beeinträchtigen können.
EDI-Modul: Das Wasser wird auf 15–18 M$\\Omega$·cm poliert. Das elektrische Feld sorgt dafür, dass das Ionenaustauscherharz dauerhaft „geladen“ bleibt.
UV- und Ultrafiltration (UF): Abschließendes „Polieren“ bei UV-Wellenlängen von 18,5 nm oder 254 nm, um alle organischen Spuren (TOC) zu zerstören, und UF-Membranen, um alle verbleibenden Sub--Mikrometerpartikel einzufangen.

Wichtige Designpunkte, die am wichtigsten sind

Die Zufuhr zur EDI muss sehr sauber sein: geringe Härte, geringes Risiko der Silikatablagerung, wenig Oxidationsmittel (Chlor), wenig SDI.
Durch Entgasung (CO₂-Entfernung) wird häufig der spezifische Widerstand verbessert und die EDI-Belastung verringert.
Materialien und Hygiene: UPW-Kreisläufe verwenden in der Regel hochreine Materialien (z. B. PVDF/PFA/EP-SS der Güteklasse je nach Spezifikation) und eine ständige Rezirkulation, um eine Kontamination zu verhindern.
Überwachung: spezifischer Widerstand, TOC, Silica, DO, Partikelanzahl, Durchfluss/Druck, Temperatur-plus Alarme/Trends.

Wenn Sie mir diese 4 Punkte nennen, kann ich Ihnen eine geeignete EDI-Wasseraufbereitungsanlage für Halbleiter vorschlagen:

Erforderlicher UPW-Durchfluss (m³/h oder m³/Tag)
Rohwasserquelle + TDS/Kieselsäure (falls bekannt)
Verwendung: Fab UPW (Prozess) vs. Versorgungsbetriebe (Wäscher/Kühlung)
Alle Zielspezifikationen, die Sie erfüllen müssen (Widerstand/TOC/Siliziumdioxid/Partikel)